北京國家會議中心630號展臺 - 3月20日至22日

埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布其參加3月20日至3月22日在中國北京舉行的電子設計創新大會（EDI CON）的詳細信息。埃賦隆半導體所在的630號展臺，位于中國國家會議中心的4樓，將會布置一系列的熱門產品和演示。其中包括面向粒子加速器、Doherty廣播發射機和無線基站的解決方案。該公司還將展示基于LDMOS的產品，包括面向FM廣播應用的大功率器件、面向激光和等離子體生成的極其堅固耐用的解決方案，以及面向航空電子和雷達系統的器件。此外，面向射頻能量應用的器件和pallet也將在展臺上展示。

除展臺展品外，埃賦隆半導體的多名員工也將參與該活動的會議日程。埃賦隆半導體射頻建模工程師Amit Dixit將于3月20日（星期二）下午12點55分在406室發表一篇關于“面向射頻功率放大器設計實現的精確GaN建模（Accurate GaN modelling for RF power amplifier design enablement）”的論文。

埃賦隆半導體開發與應用高級總監Coen Centen先生將于3月22日（星期四）上午9點在405室，參加主題為“進軍工業市場（Inroads to the Industrial Market）”的射頻能源聯盟（RF Energy Alliance）專題研討會。埃賦隆半導體是射頻能源聯盟的創始成員之一，在推廣高能效、緊湊和極其可靠的固態射頻功率解決方案方面發揮了領導作用。

3月22日下午12點20分，埃賦隆半導體創新工程師Osman Ceylan將在403室發表一篇關于“寬帶大功率放大器用偏置網絡的設計和優化（Design and Optimization of Biasing Networks for Wideband High Power Amplifiers）”主題的論文。