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埃賦隆半導體參加EDI CON 2018大會
作者:hjq 來源: 閱讀次數:7842次 發布日期:2018年3月08日

北京國家會議中心630號展臺 - 3月20日至22日

埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布其參加3月20日至3月22日在中國北京舉行的電子設計創新大會(EDI CON)的詳細信息。埃賦隆半導體所在的630號展臺,位于中國國家會議中心的4樓,將會布置一系列的熱門產品和演示。其中包括面向粒子加速器、Doherty廣播發射機和無線基站的解決方案。該公司還將展示基于LDMOS的產品,包括面向FM廣播應用的大功率器件、面向激光和等離子體生成的極其堅固耐用的解決方案,以及面向航空電子和雷達系統的器件。此外,面向射頻能量應用的器件和pallet也將在展臺上展示。

除展臺展品外,埃賦隆半導體的多名員工也將參與該活動的會議日程。埃賦隆半導體射頻建模工程師Amit Dixit將于3月20日(星期二)下午12點55分在406室發表一篇關于“面向射頻功率放大器設計實現的精確GaN建模(Accurate GaN modelling for RF power amplifier design enablement)”的論文。

埃賦隆半導體開發與應用高級總監Coen Centen先生將于3月22日(星期四)上午9點在405室,參加主題為“進軍工業市場(Inroads to the Industrial Market)”的射頻能源聯盟(RF Energy Alliance)專題研討會。埃賦隆半導體是射頻能源聯盟的創始成員之一,在推廣高能效、緊湊和極其可靠的固態射頻功率解決方案方面發揮了領導作用。

3月22日下午12點20分,埃賦隆半導體創新工程師Osman Ceylan將在403室發表一篇關于“寬帶大功率放大器用偏置網絡的設計和優化(Design and Optimization of Biasing Networks for Wideband High Power Amplifiers)”主題的論文。

(信息收集:電子人才網
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